Компании Innovative Silicon Inc. (ISi) и Hynix Semiconductor объявили о том, что Hynix приобрела лицензию на использование технологии памяти высокой плотности Z-RAM, разработанной специалистами ISi, в своих чипах DRAM. Новая память использует для хранения одного бита информации ячейку, состоящую из одного транзистора, а в обычной памяти DRAM ячейка представляет собой комбинацию из транзисторов и конденсатора. По сути дела, Z-RAM – первое фундаментальное изменение ячейки DRAM с момента ее изобретения в начале семидесятых годов прошлого века. Как утверждается, Hynix может стать первым производителем, который выпустит продукты Z-RAM на рынок DRAM.
Первоначально, Z-RAM создавалась, как недорогая встраиваемая память для логических микросхем – чипсетов, микропроцессоров, сетевых контроллеров. Именно с таким прицелом, первой, еще в 2005 году, новую разработку лицензировала компания AMD. Примерно через год производитель микропроцессоров приобрел лицензию на второе поколение Z-RAM.
В Hynix считают, Z-RAM подойдет не только на роль встраиваемой памяти – она представляет собой элегантный способ повысить плотность памяти DRAM. По данным ISi, Z-RAM вдвое превосходит по этому показателю встраиваемую память embedded DRAM и в пять раз - embedded SRAM. На данный момент, компания располагает соответствующими разработками, рассчитанными на производство по нормам 90, 65 и 45 нм. Помимо высокой плотности, важным преимуществом Z-RAM является низкая стоимость.
Источник: Innovative Silicon Inc.