Специалисты компаний VESTA Technology и ATDF, создали пленки со сверхвысокой диэлектрической постоянной (Super High-k или Super-k) – новый продукт для полупроводникового производства, работающего с пластинами диаметром 200 и 300 мм. Одновременно с анонсом этой пленки представлена технология, которая открывает новые возможности в процессе низкотемпературной обработки пластин.
После нанесения, пленки Super-k имеют диэлектрическую постоянную (k) примерно вдвое более высокую, чем у пленок на основе «революционного» оксида гафния (HfO2) и оксида циркония (ZrO2). В сочетании с системой нанесения пленок осаждением атомарных слоев (atomic-layer deposition, ALD, в отечественной литературе иногда используется термин «молекулярное наслаивание»), созданной специалистами VESTA, пленки Super-k позволят производителям формировать емкости для ячеек DRAM и структуры флэш-памяти по нормам 45 нм. Кстати, интересующиеся ALD могут посмотреть весьма наглядный ролик, демонстрирующий суть технологии. (Внимание! Размер ролика – 9,6 Мб).
Созданию пленки Super-k предшествовала многомесячная совместная работа VESTA и ATDF.
Что касается упомянутой выше технологии для низкотемпературной обработки пластин, VESTA и ATDF предложили неразрушающий процесс, который позволяет наносить пленки на основе нитрида титана (TiN), не содержащие углерода, при температурах на 30% ниже, чем ранее.
По утверждению разработчиков, эта технология открывает новую эру, связанную с применением низких температур (350°C) в процессах, раньше доступных только при температурах выше 500°С. В частности, речь идет о формировании кремненикелевых интегральных приборов (NiSi) и других структур, обычно формируемых химическим осаждением паров (chemical-vapor deposition, CVD).
Источник: ATDF