По информации источника, тайваньские производители динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) готовы перейти на массовое производство своей продукции по нормам 70 нм, они уже довели процент выхода годных изделий до стабильно высоких показателей.
Компания Inotera Memory начнет серийный выпуск 70-нм чипов в третьем квартале, а в четвертом квартале она переведет на новые нормы 30% своих производственных мощностей, прогнозируют представители отрасли.
Другой производитель, ProMOS Technologies, уже перевел на нормы 70 нм 40% своего производства и достиг выхода годных чипов на уровне 80-85% – таковы данные, поступающие от источников в самой компании. В июле компания переведет на 70-нм нормы половину своих мощностей, а к октябрю – все производство полностью.
Компания Powerchip Semiconductor Corporation (PSC), столкнувшаяся с некоторыми сложностями при освоении 70-нм норм, намерена перевести на них 70-80% общего ресурса Fab 12A и Fab 12B во второй половине года. По словам источника, представители компании утверждают, что процент выхода годных значительно увеличен и компания ускорила перевод производства чипов DDR2 плотностью 1 Гбит на нормы 70 нм. Таким образом, PSC становится одним из первых тайваньских производителей DRAM, освоивших массовый выпуск чипов DDR2 плотностью 1 Гбит по нормам 70 нм.
Для потребителей освоение более тонких норм в массовом производстве DRAM означает, что цены на этот вид продукции будут снижаться, поскольку из одной пластины удается изготовить больше чипов памяти, что снижает их себестоимость.
Источник: DigiTimes