Перспективные типы энергонезависимой памяти постепенно осваиваются на рынке. Недавно мы писали о применении энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (FRAM) в микроконтроллере Ramtron VRS51L3174, а сейчас речь пойдет о продукции Freescale Semiconductor. Эта компания, как известно, продвигает технологию магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).
На днях номенклатуру продукции Freescale пополнил первый в мире прибор MRAM плотностью 4 Мбит, рассчитанный на напряжение питания 3,3В и расширенный диапазон рабочих температур (от -40 до +105°C). Таким образом, перед новой технологией открывается дорога в промышленную, автомобильную, военную, аэрокосмическую электронику. Изделие получило обозначение MR2A16AV. Оно имеет логическую организацию 256K х 16. Скорость чтения и записи не превышает 35 нс. По расположению и назначению выводов новая микросхема совместима со стандартными приборами SRAM и nvRAM, используемыми на рынке. На снимке изображен кристалл MRAM плотностью 4 Мбит.
Кроме того, Freescale расширила линейку MRAM прибором плотностью 1 Мбит – на данный момент такая память является наиболее востребованной во встраиваемых системах. Микросхема MR0A16A также работает от источника питания напряжением 3,3 В, но рассчитана на эксплуатацию в несколько более ограниченном диапазоне температур: 0 – 70° C. Логическая организация памяти - 64K х 16, время чтения и записи - 35 нс.
В настоящее время доступны ознакомительные образцы MR2A16AV и MR0A16A. Предполагаемая оптовая цена MR2A16AV составит 25 долларов, MR0A16A – 10 долларов за штуку. Дальнейшее расширение ассортимента MRAM запланировано Freescale на третий квартал.
Источник: Freescale Semiconductor