Компания Toshiba представила новую разработку в области флэш-памяти типа NAND. Речь идет о трехмерной структуре массива ячеек памяти. Она позволяет повысить плотность размещения ячеек и увеличить объем памяти без перехода на более тонкие нормы техпроцесса и при минимальном увеличении размеров кристалла. По словам японского производителя, разработка является потенциальным кандидатом на роль технологии, способной удовлетворить потребности в памяти NAND повышенной плотности.
Специалисты Toshiba предлагают формировать своеобразные колонны из элементов памяти, использующих общие периферийные цепи. Если раньше увеличение плотности памяти отражало прогресс в освоении все более тонких технологических норм, то в данном случае резерв повышения плотности кроется в применении многослойной, объемной структуры.
В отличие от существующих схем многослойной компоновки, когда, по сути дела, плоские массивы ячеек располагаются друг поверх друга (средняя схема на первой иллюстрации), новая технология (правая схема там же) не приводит к значительному усложнению техпроцесса и удлинению его по времени. Иными словами, новые массивы ячеек проще в изготовлении. Кроме того, поскольку периферийные цепи используются ячейками разных слоев совместно, площадь кристалла увеличивается совсем незначительно.
По сравнению с обычной NAND (левая схема на первой иллюстрации), объем новой памяти, по утверждению компании, легко наращивается. Так, 32-слойный чип превосходит по этому показателю обычные чипы, изготовленные по тем же самым нормам, на порядок.
Источник: Toshiba