Компания IBM и ее технологические партнеры по программе Common Platform – Chartered Semiconductor Manufacturing и Samsung Electronics– а также присоединившиеся к совместной разработке Infineon Technologies AG и Freescale Semiconductor подписали серию соглашений, касающихся создания и освоения новых технологий производства полупроводниковых чипов.
Соглашения между этими компаниями о совместной работе теперь включают 32-нм техпроцесс CMOS и совместное создание средств разработки (PDK). Вдохновленный успехами при совместном освоении норм 90, 65 и 45 нм, альянс полагает, что сможет повторить их и в случае 32 нм.
Используя накопленный опыт и ресурсы совместно, партнеры планируют создать соответствующий техпроцесс к 2010 году. Как утверждается, чипы, производимые по 32-нм нормам, будут предназначены для широкого круга приложений – от карманных электронных устройств до суперкомпьютеров.
Среди особенностей программы разработки названа фокусировка на экономичности и простоте техпроцесса, применение новых материалов (например, диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью - high-k) и иммерсионной литографии.
Используя общие спецификации, партнеры смогут обеспечить переносимость технологии между имеющимися в их распоряжении производственными мощностями. Как и ранее, опытное производство будет возложено на фабрику IBM в East Fishkill.
Источник: IBM