Совместные усилия Intel и Micron Technology по совершенствованию технологий производства флэш-памяти продолжают приносить плоды: компании объявили о начале поставок опытных образцов 50-нм памяти MLC NAND (multi-level cell), изготовленных на совместном предприятии IM Flash Technologies.
Компоненты указанной памяти имеют плотность 16 Гбит. Напомним, ранее представленные образцы 50-нм памяти SLC NAND (single-level cell) имели плотность 4 Гбит.
На создание новых продуктов MLC NAND компаниям понадобилось около года работы. Выпуск новинок развернут на фабриках, работающих с 300-мм пластинами. Точнее говоря, память изготавливают на производствах Micron в Айдахо и Вирджинии, а выпуск 300-мм пластин организован на фабрике в штате Юта, полностью принадлежащей совместному предприятию. Напомним, в планах компаний – создание нового производства IM Flash в Сингапуре.
В настоящий момент, как утверждается, партнеры находятся на пути к выпуску продукции по нормам менее 40 нм.
Источник: Micron Technology