SanDisk и Hynix планируют создать совместное предприятие по производству NAND флэш-памяти, причем не простой, а сразу же с использованием технологии записи четырех бит данных в одну ячейку. В общем-то, оно и понятно – компаниям придется наверстывать упущенное и времени на «раскачку», которое было у IM Flash, у SanDisk и Hynix нет.
Напомним, что SanDisk, после приобретения компании msystems в июле прошлого года, стала поневоле технологическим партнером Hynix, с которой msystems работала над х4-технологиями. Это приобретение, впрочем, стало причиной ряда споров о правах владения на интеллектуальную собственность и некоторых разбирательств касательно лицензий, которые, как мы видим, благополучно разрешились – всего на день позже завершения лицензионного спора с Toshiba. На данный момент известно, что компании-основатели будут владеть равными долями в совместном предприятии. Производство флэш-памяти будет производится с использованием производственных мощностей корейской компании. Кстати, Toshiba также является партнером SanDisk – очевидно, в ожидании повышения цен на флэш-память в связи с высоким спросом последняя предпринимает шаги по увеличению её предложения.
Hynix, тем временем, также участвует в совместном предприятии с STMicroelectronics и, как ожидается, вскоре начнет поставки первых 4-Гбит и 8-Гбит микросхем, произведенных с соблюдением норм 70-нм технологического процесса на заводе в Китае. Но, в отличие от Hynix, STMicroelectronics пока что не преодолела разногласия, имеющиеся у неё с SanDisk и касающиеся, опять-таки, прав на владение патентами.
По мнению наблюдателей, заключение соглашения с SanDisk является значительным прорывом для Hynix, которая сейчас поставляет довольно мало MLC-устройств (MLC – технология многоуровневых ячеек флэш-памяти) и обладает меньшими ресурсами для 300-мм производства, чем свой же, корейский конкурент – Samsung (к тому же являющийся одним из поставщиков SanDisk). Сотрудничество с компанией, продающей конечные устройства и являющейся одним из главных покупателей микросхем флэш-памяти, скорее всего пойдет Hynix на пользу и позволит несколько сократить отставание от лидера отрасли, Samsung. Тем более что, как отмечают наблюдатели, у Samsung есть определенные проблемы с выходом годных MLC NAND-чипов.
Исходя из соображений минимизации себестоимости, можно смело предполагать, что первые микросхемы, произведенные Hynix в рамках совместного с SanDisk предприятия по х4 MLC-технологии, будут, скорее всего, выполнены по 70-нм нормам. Вот только когда именно это произойдет, пока не сообщается.