В Корее создана 8-нм флэш-память

ПредыдущаяСледующая

В то время как сегодняшний технологический уровень производства чипов памяти находится на уровне десятков нанометров, корейским учёным удалось создать 8-нм (!) энергонезависимую память. Конечно же, здесь не обошлось без нанотехнологий.

Как сообщил руководитель исследовательской группы, профессор корейского научно-технологического института (Korea Advanced Institute of Science and Technology) Чо Янг-ку (Choi Yang-kyu), создание новой флэш-памяти стало возможно благодаря использованию нанопроводов и технологии "кремний-оксид-нитрид-оксид-кремний".

Новая память имеет объёмную структуру, учёные использовали кремниевые нанопровода, на которые последовательно нанесены слои оксида, нитрида и ещё раз оксида кремния (ONO). Разработчики сообщают о возможности создания в будущем терабитных чипов, которые смогут хранить, к примеру, 1250 DVD-фильмов или 500 тыс. MP3-файлов. В сравнении с 40-нм устройствами, созданными Samsung, корейская разработка имеет впятеро меньшие размеры и в 25 раз большую плотность.

По прогнозам Чо, на доведение технологии до коммерческого этапа понадобится 10 лет. Детальная информация о новой памяти появится в середине июня, когда в Киото (Япония) начнётся международный симпозиум VLSI (Very-Large-Scale-Integration Technology) Technology.

15 марта 2007 Г.

14:51

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс