Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первых в отрасли гигабитных чипов памяти DDR2 DRAM с использованием 60-нм технологического процесса.
По утверждению производителя, имеет место серьезное продвижение вперед, поскольку эффективность производства повышена на 40% по сравнению с 80-нм процессом, применяемым для выпуска гигабитных чипов DRAM, начиная с середины 2006 года, и вдвое - по сравнению с 90-нм процессом.
Наращивание выпуска чипов DRAM плотностью 1 Гб хорошо согласуется с растущей потребностью в модулях памяти большого объема, вызванной выходом ОС Vista, которой, как известно, требуется больше оперативной памяти, чем ее предшественницам.
Залогом успеха в освоении все боле тонких норм техпроцесса Samsung называет широкое использование трехмерных транзисторов, позволяющих повысить плотность размещения элементов на подложке. В частности, ключевой технологией, задействованной специалистами Samsung в новой памяти, является RCAT (recess channel array transistor), позволяющая уменьшить размер ячейки памяти DRAM. Эта технология была впервые представлена в 2003 году и применяется в оперативной памяти Samsung, начиная с чипов, выпускаемых по нормам 90 нм. Ожидается, что она сохранит актуальность и при переходе к 50-нм и более тонким нормам.
Первые образцы 60-нм памяти DDR2 DRAM плотностью 1 Гбит, были показаны Samsung в 2005 году. По мнению аналитиков, такие чипы станут основным видом продукции на рынке DRAM в 2008 году.
Источник: Samsung Electronics