О новой программе разработки перспективной технологи, предназначенной для применения в производстве полупроводниковых микросхем сообщила корпорация Nikon. Совместно с Nikon в работе примет участие европейский центр исследований в области микроэлектроники CEA-Leti, курируемый французским атомным ведомством (Electronics and Information Technology Laboratory of the French Atomic Energy Commission), который фокусирует свои усилия на развитии оптической литографии применительно к техпроцессам с использованием норм 45 нм и менее.
Цель проекта – исследование потенциала технологии двойного экспонирования в производстве по нормам 32 нм. По имеющимся данным, в программе будет задействован литографический сканер производства Nikon, установленный в исследовательском центре CEA-Leti Nanotec 300.
Освоение технологии двойного экспонирования было включено в план ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors – набор документов, подготавливаемых отраслевыми экспертами) на 2006 год, как возможное решение задачи перехода к нормам 32 нм. Применение «жесткого» ультрафиолетового излечения (EUV) также перечислено в списке потенциальных вариантов, но темпы разработки этой технологии могут помешать ее внедрению на современном этапе и отложить этот шаг на ближайшие годы.
Источник: Nikon