Clubic сообщает, что в ходе International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) компанией Samsung Electronics были представлены чипы памяти GDDR4, работающие на частоте 4 ГГц.
Такие чипы плотностью 64 Мб будут производиться по 80-нм технологическому процессу. Диапазон рабочих напряжений составит 1,4-2,1 В.
Использование такой памяти в графических картах с шиной в 256 бит обеспечит пропускную способность видеопамяти в 128 Гб/с, что примерно вдвое больше, нежели у Radeon X1950 XTX. При условии же использования 512-битного интерфейса памяти (такой будет в флагманских картах ATI на базе чипа R600) пропускная способность составит 256 Гб/с, что уже почти втрое больше, нежели у лидера сегодняшнего дня по этому показателю, NVIDIA GeForce 8800 GTX (86,4 Гб/с).
Изначально планировалось, что GDDR4 доберется до 2,8 ГГц в 2007 году, а годом позднее ей на смену придёт GDDR5, изначально работающая на частоте до 3,5 ГГц. В 2009 году планировалось ускорение GDDR5 до 4 ГГц. Сейчас Samsung пересматривает планы, впрочем, даты начала массового производства 4 ГГц чипов пока не названо. На сегодня производители видеокарт не используют даже производимую Samsung память, функционирующую на частотах 2,4 ГГц и 3,2 ГГц.
Источник: Clubic