Renesas Technology и Matsushita Electric Industrial объявили о разработке технологии, которая позволила обеспечить стабильную работу 45-нм памяти SRAM (Static Random Access Memory), выпускаемой по техпроцессу CMOS. Такая память предназначена для встраивания в однокристальные системы (system-on-a-chip, SoC) и микропроцессоры. Проверка экспериментальных чипов плотностью 512 Кбит подтвердила их стабильную работу в диапазоне температур от -40 до + 125°C и в широком диапазоне питающих напряжений. Экспериментальный чип был изготовлен по нормам 45 нм и включал ячейки памяти двух типов. Площадь ячейки одного типа равна 0,327 кв.мкм, другой - 0,245 кв.мкм. По утверждению компаний, это самые маленькие в мире ячейки SRAM-памяти, выпускаемой по технологии CMOS.
Для повышения стабильности ячейки были оснащены специальными цепями «помощи при чтении» (read-assist) и «помощи при записи» (write-assist). Схема «помощи при чтении» использует значения сопротивления пассивных элементов в функции компенсации, которая имеет топологию, аналогичную топологии ячейки памяти. Поскольку отклонения параметров ячейки и схемы коррекции, вызванные температурными флуктуациям и отклонениями техпроцесса, связаны между собой, происходит автоматическая коррекция уровней напряжения. В результате, повышается стабильность чтения. Что касается «помощи при записи», в схему добавлен дополнительный источник питания, питающий колонки ячеек, а линии питания организованы в иерархически структурированную сеть. Таким образом, удалось снизить паразитную емкость линий питания. Измерения показали, что принятые меры позволили даже в неблагоприятных условиях существенно повысить скорость записи.
Подробности разработки компании представили на конференции 2007 International Solid State Circuits Conference (ISSCC 2007) в Сан-Франциско.
Источник: Renesas Technology