Hitachi и Renesas создали быстрый и экономичный модуль энергонезависимой «фазовой» памяти

ПредыдущаяСледующая

Новое поколение энергонезависимой памяти, отличающееся высокой плотностью хранения, высоким быстродействием и малым энергопотреблением, создали специалисты Hitachi и Renesas Technology. Компании представили модуль плотностью 512 Кб, работающий при напряжении 1,5 В, который продемонстрировал запись и чтение со скоростью 416 Кб/с при времени доступа 20 нс. В разработке нашла применение созданная ранее технология «маломощного элемента памяти, построенного на смене фазового состояния». Ток записи памяти составляет 100 мкА.

Новая память будет использоваться в качестве встраиваемой энергонезависимой памяти микроконтроллеров и «систем-на-микросхеме».

Идея памяти, построенной на смене фазового состояния, или «фазовой памяти» заключается в том, что материал, используемый для изготовления информационного слоя, может принимать два состояния, различающихся электрическими свойствами, в частности, сопротивлением. Высокое сопротивление, свойственное аморфному состоянию, представляет логическую «1» - низкое, свойственное кристаллическому состоянию, обозначает логический «0». Для перехода из одного состояния в другое используется кратковременный нагрев участка слоя.

Экспериментальный 512-Кб модуль был изготовлен с помощью модифицированного 130-нм CMOS-процесса.

Источник: Renesas Technology

19 февраля 2007 Г.

02:19

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс