Вчера на конференции ISSCC компания IBM объявила о намерении интегрировать память eDRAM (embedded dynamic random access memory) в свои процессоры, которые будут производиться по 45-нм технологическим нормам. Технология должна дебютировать в 2008 году.
На конференции демонстрировался прототип таких процессоров, изготовленный по 65-нм техпроцессу с SOI.
eDRAM, по словам IBM, способна обеспечить существенно большую скорость, нежели традиционно используемая в качестве процессорной кэш-памяти SRAM.
Директор департамента компании, ответственного за разработку 45-нм технологических норм, д-р Субраманиан, заявил, что такой подход позволит добиться удвоения производительности процессоров IBM.
2-Мб ячейка eDRAM, которую производитель планирует применять в будущих процессорах, имеет площадь в 0,126 мм2. Время случайного доступа её составляет 3 нс, латентность - 1,5 нс.
Применение такого типа памяти не ново. Так, в суперкомпьютере IBM BlueGene/L eDRAM используется в качестве кэша L3. Также она применяется в графической системе консолей Gamecube, Xbox 360 и Wii.
Источник: IBM