Winbond готовится к выпуску DRAM по 80-нм техпроцессу

ПредыдущаяСледующая

Представители компании Winbond Electronics сообщили о том, что производитель готовится к запуску во втором квартале текущего года 80-нм технологического процесса для чипов DRAM.

Столь необычный выбор технологии в то время, как большинство производителей сообщают о внедрении 70-нм норм, Winbond объясняет тем, что он позволит продолжать производство на существующем оборудовании, в данный момент выпускающем подложки по 90-нм техпроцессу.

Компания ожидает, что затраты на модернизацию фабрик будут незначительны, а выход чипов повысится на 10-20%.

В прошедшем январе производитель выпустил 25-26 тысяч 300-мм подложек.

В настоящее время Winbond завершает внедрение 90-нм техпроцесса, причем даже в текущем квартале 110-нм чипы DRAM будут преобладать в структуре ее производства (39% против 35% 90-нм продуктов).

Таким образом, мы видим, что технологический разрыв между производителями памяти первого и второго эшелонов увеличивается с каждым месяцем. Для сравнения, Samsung еще осенью выпустила первый чип 50-нм DRAM. В таких условиях конкурировать Winbond с лидерами будет сложно. Ждём поглощения производителя Qimonda, с которой сейчас его связывают партнерские отношения?

Источник: DigiTimes

6 февраля 2007 Г.

12:27

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс