Научно-исследовательский консорциум Semiconductor Research Corporation (SRC) объявил о «революционном» успехе в создании изоляторов, содержащих гафний. Как утверждается, работа SRC чрезвычайно важна для отрасли, поскольку ее результаты позволят продлить жизнь закону Мура, в соответствии с которым плотность размещения элементов в чипах каждые два года удваивается. Напомним, недавно свои решения, способные продлить действие упомянутого закона, представили и другие исследователи: специалисты Hewlett-Packard полагаются на помощь нанотехнологий, а в компании Mears Technologies предложили добавить в канал транзистора тончайший слой кремния, так называемую «сверхрешетку».
SRC располагает солидными материальными и исследовательскими ресурсами - в организацию входят 23 компании и 100 университетов. Основываясь на результатах десятилетних исследований, направленных на поиск материалов, способных заменить широко применяемый диоксид кремния, производители полупроводниковых чипов - участники консорциума пришли к выводу, что изоляторы на основе гафния могут стать инструментом, который обеспечит дальнейший прогресс отрасли в направлении более тонких норм техпроцесса.
Ключевое преимущество изоляторов на основе гафния – высокое значение диэлектрической постоянной (high-k). Благодаря этому, транзисторы можно сделать меньше, увеличить скорость их работы, уменьшить ток утечки и энергопотребление. Напомним, есть сведения о том, что гафний будет использован в 45-нм процессорах Intel Penryn. В целом же, специалисты полагают, что новый материал обеспечит освоение, по меньшей мере, трех поколений чипов, вплоть до норм 22 нм. Достичь 22-нм отметки в серийном производстве предполагается к 2016 году.
Остается добавить, что, среди прочих, членами SRC являются компании AMD, Freescale Semiconductor, IBM, Intel и Texas Instrumentals.
Источник: SRC