Японское подразделение Toshiba сообщило, что компания готова потягаться с Samsung, т.к. "сравнялась с нею в счете", представив и свой вариант одночиповой MLC NAND флэш-памяти емкостью 2 Гб. Впрочем, анонс новинки Samsung относится по времени еще к марту прошлого года, а вариант емкой памяти Toshiba показан только сегодня.
В планах технологического союза SanDisk-Toshiba было показать 52-нм память, но пока что продемонстрирован 56-нм вариант.
Спрос на флэш-память стабильно растет, т.к. на рынке вновь и вновь появляются новые устройства пользовательской электроники, готовые "проглотить" любой объем, на который у их владельца хватит денег. Несомненным хитом будущих продаж и стимулом для производства и продаж памяти станет новая разработка iPhone компании Apple.
Начать поставки 2-Гб чипов памяти компания Toshiba намерена в марте этого года. Они производятся с применением норм 56-нм техпроцесса. Уже в апреле 2007 года планируется выйти на объемы поставок в 300 тыс. единиц в месяц.
Новые чипы памяти, производимые по 50- и 56-нм нормам, имеют более низкое энергопотребление, чем предыдущие модели, производимые с применением 60- и 70-нм норм. Тем не менее, очевидно и на них все еще существует большой спрос, т.к. с конца января Toshiba планирует начать массовое производство 70-нм чипов емкостью 1 Гб.
Параметры новинок памяти Toshiba:
- Part Number: TC58NVG3D1DTG00 и TC58NVG4D1DTG00
- Объем: 8 /16 Гбит
- Напряжение питания: 2,7-3,6 В
- Время доступа: 50 мкс (макс.)
- Упаковка: 48-контактный TSOP Type I
- Размеры: 12х20х1,2 мм
В 2008 году компания Toshiba совместно со своим партнером SanDisk намерена занять до 40% рынка флэш-памяти.