Исследователи из университета, расположенного в английском Саутгемптоне (University of Southampton), разработали технологию, которая позволит точно и недорого группировать пластины кремния в объемные структуры.
Одна из наиболее заметных сложностей при изготовлении «многоэтажных» полупроводниковых микросхем связана с точным позиционированием слоев. Другими словами, возникает задача совмещения структур, находящихся на разных пластинах.
Принятый учеными подход строится на формировании на поверхности пластин своеобразных выпуклых «пирамидок» и вогнутых ямок. Иначе говоря, для выравнивания пластин используются элементы, напоминающие те, что используются в популярном детском конструкторе. После обработки, пластины успешно совмещаются друг с другом. Точность, продемонстрированная участниками проекта, соответствует линейному размеру 200 нм.
На начальном этапе были попытки использовать оптические методы для выравнивания пластин, однако, они требуют значительных затрат времени и часто приводят к ошибкам.
Новая разработка получила название «метод эффективного пассивного выравнивания для достижения совмещения с наноточностью». Важным преимуществом нового метода является экономичность.
Источник: EE Times