Intel Bloomfield преодолеет планку 4 ГГц

Новой информацией о будущем процессоре Intel Bloomfield поделился сайт VR-Zone. Как мы уже сообщали, Bloomfield, основанный на архитектуре Nehalem, будет производиться по 45-нм технологии. Он будет использовать разъём Socket B и включать четыре ядра, при этом благодаря обновлённой версии Hyper-Threading станет возможной одновременная обработка восьми потоков.

Сообщается, что благодаря 45-нм Intel планирует в 2008 году разогнать Bloomfield до 4 ГГц и выше. Объём общего кэша составит 8 Мб (у Yorkfield - до 12 Мб в двух блоках), а энергопотребление останется в границах 130 Вт.

19 декабря 2006 в 00:56

Автор:

| Источник: VR-zone

Все новости за сегодня

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс