Не так давно мы сообщали о том, что один из ведущих контрактных производителей кремниевых интегральных схем (ИС), тайваньская компания TSMC, планирует освоить производство флэш-памяти. Похоже, что по этому же пути намерена пойти и китайская SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation), причем компания собирается сразу освоить производство микросхем большой плотности. По данным источника, SMIC подписала партнерское соглашение с Saifun Semiconductors (которая также работает с Samsung), согласно которому компании разработают к 2008 году чипы плотностью 8 Гбит.
По соглашению, микросхемы флэш-памяти SMIC будут построены на базе технологии Quad NROM, позволяющей хранить четыре бит данных в одной ячейке.
Если быть точным, то Saifun и SMIC уже имеют опыт совместной работы – недавно компания представила инженерные образцы 2-Гбит NAND флэш-памяти, использующей технологию Saifun NROM, позволяющую хранить два бита данных в одной ячейке. Ожидается, что эти чипы будут запущены в массовое производство уже к концу этого года.
Помимо признанного технологического лидера в этой области, компании Samsung, о планах скорейшего внедрения четырехбитных технологий в массовое производство также сообщает M Systems Flash Disk Pioneers, обещающая «завалить» рынок x4 NAND-компонентами в начале 2007 года.
Saifun также лицензирует технологии энергонезависимой памяти таким компаниям, как Qimonda, Macronix International, NEC Electronics, Sony, Spansion и Tower Semiconductor.