Компания Seiko Epson сообщила о своих новых успехах в области FeRAM (Ferroelectric Random Access non-volatile Memory - сегнетоэлектрическая энергонезависимая память с произвольным доступом к ячейкам).
Результаты своих усилий разработчики продемонстрируют на выставке Embedded Technology 2006, которая стартует на следующей неделе в Йокогаме (Япония). В качестве материала для FeRAM Epson уже довольно давно использует так называемый PZTN, получаемый замещением некоторых атомов титана ниобиевыми в PZT (сплав оксидов свинца, титана и цинка). Новые технологии позволили увеличить количество ниобия в PZTN в 20-30 раз.
Созданные на его основе и при помощи 0,35-мкм CMOS-технологии устройства FeRAM являются настоящими "долгожителями" - Epson заявляет о количестве циклов перезаписи, в 100 тысяч раз большем, чем у EEPROM, или в 10 раз большем, чем у FeRAM предыдущего поколения. Это, к примеру, позволяет непрерывно обновлять данные каждые 3 мс в течение 10 лет.
Что касается скорости, то здесь новая FeRAM также на высоте - цикл записи длится всего 100 нс, в 100 тысяч раз быстрее, чем EEPROM. Низкое энергопотребление (в 10-100 раз ниже, чем у FeRAM предыдущего поколения) позволит использовать её и в мобильных устройствах.
Самое интересное, что Epson обещает коммерциализацию нового продукта уже в ближайшем будущем.
Дополнительные технические данные:
- Структура: Stacked (прямой контакт электродов транзисторов и конденсаторов в ячейке памяти)
- Максимальная прогнозируемая интеграция: 512 Кбит (выставочный образец - 64 Кбит)
- Время доступа: 75 нс
- Рабочий ток: 5 мА
- Ток при простое: 1 мкА
- Напряжение питания: 3 В
- Рабочий диапазон температур: от -40 °С до +85 °С