Texas Instruments (TI) анонсировала чип SN74SSTE32882, поддерживающий скорости 800 и 1066 MT/s (млн. транзакций в секунду). Интегрированный регистр с фазовой автоподстройкой (PLL, phase-locked loop)-чип выполняется по 130-нм нормам и упакован в 176-контактный BGA модуль. Назначение чипа - работа с регистровой DDR3 памятью RDIMM (ниже на фото память Micron, Hynix).
Образцы памяти нового поколения
Несмотря на то, что память DDR3 будет производиться по более тонкому техпроцессу (78 нм), чем новый чип TI, производитель сообщает, что нашел простой и успешный способ интеграции PLL в модули памяти без модернизации/доработки последних. Это, как утверждается, позволит ускорить выход на серверный рынок различных производителей RDIMM-памяти.
Как известно, DDR3 есть логическое развитие DDR2 технологии, кроме того, эта память более энергоэкономичная, напряжение питания таких модулей 1,5 в против 1,8 в у DDR2. Первые модули DDR3, как ожидается, будут иметь 800 МГц рабочую частоту, а потреблять энергии меньше чем соответствующие по частоте DDR2 (DDR2-800). Дальнейший рост частот DDR3 прогнозируется так: 1066/1333 МГц в 2007 году, переход к 1600 МГц в 2008/2009 гг.
Напомним также, что первой платформой, использующей память нового образца станет разработка Intel "Bearlake", основанная на чипсетах Р35 и G33, выход которой намечен на второй квартал 2007 года. Чипсет для энтузиастов (X38) выйдет в третьем квартале следующего года. Как сообщает источник, компания Micron планирует начать массовое производство DDR3 памяти во втором квартале 2007 года. Чипы TI SN74SSTE32882 находятся на стадии тестирования и будут массово выпускаться с третьего квартала 2007 года.