Итак, заявленные ранее планы Intel и Micron о расширении своего производства, начинают претворяться в жизнь: источники сообщают о том, что компании вскоре создадут в Сингапуре новое совместное предприятие, на производственных мощностях которого будут производить NAND флэш-память.
Это будет четвертый завод по производству флэш-памяти, которым располагает совместное предприятие IM Flash. Сейчас IM Flash использует 300-мм производственные линии заводов в Манассасе, штат Вирджиния; Лехае, штат Юта (будет введен в строй в начале 2007 года), и Бойзе, штат Айдахо. Как ожидается, сингапурский завод совместного предприятия (причем это будет вновь созданное совместное предприятие) начнет функционировать, по одним данным - во второй половине 2008 года, по другим – в первой половине 2007 года; и будет осуществлять производство по 50-нм технологическим нормам на 300-мм подложках.
Известно, что Micron также участвует в совместном предприятии с Hewlett Packard, Canon и Singapore Economic Development Board (правительственное подразделение по экономическому развитию страны), производящем оперативную память (DRAM).
Что ж, если дела пойдут такими же темпами и дальше, поставленная IM Flash цель «догнать и перегнать» текущих лидеров рынка флэш-памяти может вскоре быть достигнута.
По материалам EE Times и Digi Times.