Две корейские компании - производитель полупроводниковой продукции Dongbu Electronics и разработчик датчиков изображения, не имеющий собственных производственных мощностей, Silicon File Technologies – намерены разработать новый технологический процесс. С использованием этого процесса, стороны рассчитывают выпускать CIS-датчики разрешением 5 миллионов пикселей по нормам 130 нм. Начать массовое производство такой продукции компании надеются в уже первом квартале будущего года.
Особенность разрабатываемого техпроцесса заключается в том, что вместо 7-8 слоев медных соединений, обычно используемых в изделиях, выпускаемых по нормам 130 нм, будет применена 3-слойная структура соединений из алюминия. В результате, ожидается снижение затрат на производство продукции. Более того, переход от норм 180 нм к 130 нм должен привести к дополнительному снижению стоимости – ведь из того же количества пластин будет изготавливаться примерно на треть больше готовых чипов.
Разработке датчика разрешением 5 миллионов пикселей предшествовало создание датчика разрешением 2 миллиона пикселей. К интересным особенностям изделия можно отнести минимальное среди аналогичных датчиков расстояние между фотодиодом и микроскопической линзой, расположенной в самом верхнем слое прибора. Оно не превышает 4 мкм. Для сравнения – в продукции лидера отрасли, компании Micron Technology, указанное расстояние равно 5 мкм. Как утверждает разработчик, за счет уменьшенного расстояния и других приемов удалось повысить качество цветопередачи и градаций яркости, снизить перекрестные помехи между каналами цвета, повысить светочувствительность матрицы более чем на 20%.
Напомним, об освоении производства датчиков изображения по нормам 130 нм компания Dongbu Electronics объявила в прошлом месяце. Тогда речь шла о датчиках разрешением 1,3 миллиона пикселей, предназначенных для сотовых телефонов, цифровые камер, КПК и других портативных устройств.
Источник: Dongbu Electronics