Альтернативным видам энергонезависимой памяти пока далековато до флэш-памяти по объему, но производители не оставляют усилий в совершенствовании своих изделий, поскольку по некоторым параметрам, например, ферроэлектрическая память (FRAM), превосходит флэш-память.
По сообщению компании Ramtron, специализирующейся на памяти FRAM, на ее мощностях начат выпуск микросхем, получивших обозначение FM25L512. Это память FRAM объемом 512 Кбит с 3-В питанием и скоростным последовательным интерфейсом SPI (serial peripheral interface). Память FM25L512 выпускается в крошечных корпусах типа TDFN (thin dual flat no-lead, совместимых по размерам с корпусами SOIC-8 и также имеющих по 8 контактов, что, с учетом низкого энергопотребления, делает ее особенно привлекательной в глазах разработчиков электронной техники. В качестве примеров применения новинки производитель называет схемы управления электродвигателями, принтеры, копиры и МФУ.
Немаловажно, что новая память является прямой аппаратной заменой перезаписываемой памяти с электрическим стиранием (EEPROM), отличаясь высоким быстродействием: FM25L512 способна считывать и записывать данные с частотой шины, которая составляет 20 МГц. Другими преимуществами является 10-летний срок хранения информации в отсутствие питания, практически неограниченное количество циклов чтения и записи, и очень малый ток потребления.
Напомним, ранее в этом месяце компания представила другую микросхему памяти FRAM плотностью 512 Кбит – FM24C512, ориентированную на применения, связанные со сбором данных. Кроме того, в ассортименте компании есть микроконтроллеры с интегрированной памятью типа FRAM.
Источник: Ramtron International Corporation