Корпорация NEC Electronics сообщает о разработке технологии встраиваемой оперативной памяти (embedded DRAM, eDRAM) UX7LSeD, поддерживающей низкое напряжение питания и которую можно производить с соблюдением норм 55-нм технологического процесса. Новая технология eDRAM является развитием разработанной NEC технологии металл-диэлектрик-металл (MIM2, metal-insulator-metal) и может быть использована в системах-на-чипе широкого диапазона применения – от мобильных устройств до портативных игровых консолей.
Для того, чтобы снизить ток утечки (от которого зависит частота обновления запоминающих ячеек на MIM-конденсаторах) и одновременно увеличить рабочий ток на 20%, в структуру встраиваемой DRAM была добавлена пленка силиката гафния. При этом затворы полевых транзисторов NEC Electronics по-прежнему выполняет из поликристаллического кремния, а не из металла, что позволило снизить риски брака при массовом производстве. В процессе UX7LSeD также используются такие перспективные сегодня материалы, как силицид никеля (подложка) и изолирующие плёнки с высокой диэлектрической постоянной (high-k) из оксида циркония (ZrO2).
Как утверждается в пресс-релизе, в eDRAM объединены быстродействие статической памяти (SRAM) и низкий уровень ошибок. Блоки eDRAM могут быть ориентированы в произвольном направлении – для удобства интеграции в уже существующие решения, кроме того, верхний металлический слой ASIC-дизайна может быть проложен поверх блоков eDRAM.
Как ожидается, блоки 55-нм eDRAM плотностью 8 Мбит и более могут быть доступны уже во второй половине 2007 года.