Инженеры компании Qimonda собираются сделать на Международной конференции по схемотехническому проектированию (International Electron Devices Meeting, IEDM), которая начнётся в Сан-Франциско 11 декабря, доклад о производстве микросхем DRAM с использованием 58-нм технологического процесса.
Как мы знаем, в настоящее время более актуальными для производства чипов памяти являются 70-нм и 80-нм технологии. К примеру, в августе этого года Samsung начала серийное производство гигабитных 80-нм DRAM-чипов. Ожидается, что разработчики Qimonda представят 58-нм технологию, которую они использовали для создания 512-мегабитного DRAM-чипа. Его рабочее напряжение составляет 1,2-1,35 В, а скорость передачи данных - 3,2 Гбит/с на один вывод.
Элементами новой технологии, в частности, являются U-образная структура ячеек и щелевой конденсатор "металл-изолятор-кремний" (metal-insulator-silicon trench capacitor) с так называемым high-k диэлектриком и структурой "металл-в-хомуте" (metal-in-collar).
Мы сообщим подробности после соответствующего доклада разрабочиков. Напомним, что компания Qimonda создана на основе подразделения корпорации Infineon Technologies по выпуску памяти.