По сообщению компании Fujitsu, специалисты Токийского технологического института (Tokyo Institute of Technology), Fujitsu Laboratories и Fujitsu Limited совместно создали материал для нового поколения энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM). Материал является модифицированным композитом феррита висмута (Bismuth Ferrite, BiFeO3 или BFO). Как утверждается, применение BFO позволяет повысить плотность хранения данных в пять раз по сравнению с любым другим материалом, используемым сейчас для производства памяти FeRAM.
Выпуск новой памяти FeRAM может быть налажен на производственных мощностях Fujitsu, по нормам 65-нм техпроцесса. Максимальная плотность готовых изделий при этом может составить 256 Мбит.
Наиболее важные особенности памяти FeRAM – низкое энергопотребление, высокая скорость работы и большая долговечность. Например, по сравнению с электрически стираемой памятью (EEPROM), FeRAM работает в 30000 раз быстрее, служит в 100000 раз дольше и потребляет в 200 раз меньше энергии. Безусловно, такая память очень востребована в современных устройствах персональной электроники, особенно, связанных с авторизацией и контролем доступа, например, в смарт-картах.
Напомним, Fujitsu разрабатывает тему FeRAM в течение многих лет. Массовый выпуск первых продуктов начался в 1999 году. С этого момента по март текущего года потребителям было отгружено несколько сотен миллионов микросхем, в которых используется FeRAM в качестве самостоятельного изделия или в качестве встроенной памяти. В частности, компания производит чипы FeRAM плотностью 1 Мбит. Опытные образцы памяти с использованием нового материала ожидаются в 2009 году.
Источник: Fujitsu Microelectronics America