На прошлой неделе мы сообщали о том, что компания Freescale представила на рынок первый коммерческий чип нового типа памяти – MRAM (магниторезистивная оперативная память). По своим характеристикам новую память можно сравнить со статической оперативной памятью (SRAM) по своему быстродействию и отсутствии необходимости регулярного обновления содержимого, как это происходит в динамической оперативной памяти (DRAM). Но, в отличие от SRAM, MRAM обладает свойством сохранять записанную информацию и при отключении питания – свойством, до сих присущим ЭППЗУ (электронно-перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, под определение которых попадает, например, флэш-память).
Однако, далеко не все производители традиционной DRAM разделяют оптимизм Freescale Semiconductor относительно перспектив новой памяти: тайваньские Nanya и ProMOS выразили свое убеждение, что будущее памяти для персональных компьютеров отнюдь не должно быть связано именно с этим типом памяти.
Впрочем, заявление Nanya и ProMOS связано не с тем, что они скептически настроены относительно перспектив MRAM, а с тем, что компании вместе с ITRI (Industrial Technology Research Institute) работают над альтернативными технологиями памяти – PCM (phase change memory – ЗУ, основанные на эффекте фазовых переходов, еще называемые OUM или ovonic universal memory). Однако, пока что о коммерческом внедрении PCM/OUM говорить, мягко говоря, рановато.
У Nanya и ProMOS, Powerchip и Winbond, а также Macronix, Infineon и IBM, участвующих в совместной работе над OUM, еще есть время – наблюдатели не ожидают повального увлечения MRAM среди потребителей. Пока что такой количественный показатель, как плотность MRAM, в десятки раз ниже, чем плотность чипов DRAM, а это немаловажный довод в пользу последней. С другой стороны, следуя одному из законов диалектики, без существования альтернативной DRAM технологии оперативной памяти, возможно, не было бы и её качественного развития.