Вчера произошло два весьма любопытных анонса, касающихся беспроводных коммуникаций: первый пришел от компании Cree, а второй – от Toshiba.
Компания Cree, известная своими разработками в области светоизлучающих полупроводниковых диодов, создала мощный высокочастотный транзистор на базе нитрида галлия (GaN), обеспечивающий мощность до 400 Вт в пике на частоте 3,3 ГГц. Крутизна характеристики – 10,6 дБ, эффективность стока – 62% при напряжении питания 40 В. Такой мощный транзистор можно использовать в достаточно широком диапазоне устройств, но в Cree позиционируют его для использования в мобильных WiMAX-терминалах. Все дело в том, что для передачи данных с использованием технологии мультиплексирования по ортогональным несущим (OFDM) требуется обеспечить выходную мощность от 10 до 25 Вт с соотношением пикового и среднего уровня 12 дБ, что как раз и соответствует 400 Вт пиковой мощности.
Свою разработку Cree продемонстрирует на симпозиуме IEEE MTT-S International Microwave Symposium 2006, начавшемся вчера в Сан-Франциско. Ожидается, что поставки начнутся уже в этом году.
Разработка Toshiba также связана с галлием, но в более традиционном исполнении: компания также представила мощные арсенид-галлиевые полевые транзисторы TIM6472-60SL и TIM7179-60SL, обеспечивающие выходную мощность 48 дБм (60 Вт) и арсенид-галлиевый биполярный транзистор TIM5359-80SL, обеспечивающий выходную мощность 49 дБм (80 Вт). Разработки Toshiba предназначены для использования в оборудовании для спутниковой связи, работающем в диапазонах 6,4-7,2, 7,1-7,9 и 5,3-5,9 ГГц. Напряжение питания транзисторов составляет 10 В, размеры – 24,5х17,4х5,5 мм.
По материалам PR NewsWire, The Digi Times, Cree, а второй – от Toshiba.