Как известно, компании Intel и STMicroelectronics NV работают над созданием памяти на базе халькогенидного материала, в которой используется эффект изменения фазового состояния вещества. Этот тип памяти, по мнению специалистов, может стать заменой распространенной сегодня флэш-памяти.
Основой для исследований послужили лицензионные соглашения, которые Intel и ST независимо заключили с дочерним предприятием Energy Conversion Devices Inc - Ovonyx Inc. Память, предложенная специалистами Ovonyx, получила название Ovonic Unified Memory. Принцип ее действия основывается на обратимом переходе между аморфным и кристаллическим состояниями, которые могут принимать халькогенидные сплавы, обычно – сплавы теллурида сурьмы и теллурида германия.
Источник сообщает, что на предстоящем симпозиуме VLSI Technology Symposium, который пройдет на Гавайях с 13 по 15 июня, компании Intel и ST намерены представить совместный доклад. Предметом доклада станет описание 90-нм процесса для выпуска памяти с изменением фазового состояния, запоминающий элемент которой выполнен из халькогенидного материала, а в роли устройств выборки выступают вертикально сформированные биполярные транзисторы. Одним из важных преимуществ новинки является низкий ток программирования - 400 мкА. Как утверждается, тестовые образцы новой памяти демонстрируют готовность технологии к массовому производству. В частности, у ST готов 128-Мбит массив ячеек памяти, изготовленный по 90-нм нормам. Компания изучает вопрос коммерческого выпуска гигабитных массивов по нормам 45 и 32 нм.
Источник: EE Times