Пожалуй, освоение нанотехнологий является одним из наиболее перспективных направлений развития для современной электроники. Преимущества перехода от традиционных полупроводниковых приборов к их функциональным аналогам, выполненным с применением нанотехнологии, сулит огромные выигрыши в терминах миниатюризации, снижения энергопотребления, повышения производительности.
До недавнего времени эти преимущества были скорее теоретическими, но прогресс не стоит на месте - ученые из Гарвардского университета опубликовали научную работу, в которой рассмотрены транзисторы, которые были изготовлены в лабораториях университета с применением полупроводниковых нанокомпонентов. Коротко говоря, новые приборы оказались по характеристикам лучше, чем самые совершенные из сегодняшних изделий, изготавливаемых по традиционной технологии, в 3-4 раза. Кроме того, новые транзисторы могут быть сформированы на поверхностях, недоступных применяемым сейчас технологиям, например, на пластике.
Другими словами, надежды на улучшение транзисторов – основного строительного кирпичика современной электроники – за счет миниатюризации, обеспечиваемой нанотехнологиями, подтверждены практически.
Для изготовления нанотранзистора в Гарварде использовали проводники толщиной 15-нм, соединенные с элементами из германия и кремния. Такая конструкция, по мнению ученых, позволяет полнее контролировать процесс изготовления прибора и его электрические параметры, а это значит, процесс лучше подходит для массового выпуска. Это не первые транзисторы такого типа, но они превзошли не только лучшие полевые транзисторы, выполняемые по технологии «метал-окисел-полупроводник» (МОП), но и все подобные полевые нанотранзиторы. Лучше их по быстродействию – транзисторы, сделанные из углеродных нанотрубок. К сожалению, транзисторы из углеродных нанотрубок пока слишком далеки от серийного производства, поскольку нет способа изготавливать приборы с заранее заданными свойствами – степень повторяемости характеристик невысока.
Источник: PhysOrg