Тайваньская компания Nanya Technology в лице своего вице-президента Пей-лин Пай (Pei-lin Pai) объявила о своих планах по началу производства модулей памяти типа DDR3 DIMM уже во второй половине текущего года.
Производитель рассчитывает, что уже к 2008 году именно DDR3 составит значительную долю в объёме продаж. В этом году для её производства будет использоваться 90-нм технологический процесс. Далее, когда спрос на такую память обретёт массовый характер, ожидается переход на 70-нм нормы. По предварительным прогнозам это произойдет в 2008 году.
К преимуществам DDR3 перед DDR2 следует отнести более низкое напряжение питания (1,5 В против 1,8 В), 8-битную архитектуру предварительной выборки (4-битная у предшественницы) и наличие встроенных в чипы температурных датчиков.
Оперативная память DDR3 будет иметь рабочий диапазон частот от 800 до 1600 МГц, латентность - от 5 до 10. При её разработке учитываются потребности энергосбережения, поэтому Nanya планирует, что её память будет иметь два энергосберегающих режима - PASR (Partial Array Self Refresh) и ASR (Auto Self Refresh).
В настоящий момент JEDEC еще не утвердила окончательной спецификации DDR3, её принятие должно состояться в конце 2007или начале 2008 года.
На выставке SemiTech Taipei Nanya продемонстрировала 240-контактный модуль небуферируемой памяти DDR3, 1066 МГц, объёмом 1 Гб. Максимальная пропускная способность такой памяти составляет 8,5 Гб/с.
Источник: DigiTimes