Как стало известно, один из ведущих разработчиков и производителей полупроводниковых микросхем, Atmel и лаборатория прикладных исследований в области электроники Leti, курируемая французским атомным ведомством (French Atomic Energy Commission, CEA), намерены совместно работать над созданием новой технологии флэш-памяти.
Суть соглашения сводится к закреплению условий сотрудничества, а в качестве направления работ выбрано исследование возможности использования так называемых «нанокристаллов».
Ожидается, что первые результаты совместных усилий Atmel и CEA-Leti будут опубликованы уже до конца текущего года.
Основная идея упомянутой технологии в дальнейшем найдет применение в следующем поколении энергонезависимой памяти, известном под кодовым названием Erevna. Конкретной целью научно-исследовательского проекта является создание технологий изготовления энергонезависимой памяти, в том числе, встраиваемой, по нормам 130, 90 и 65 нм, с перспективой серийного производства в период до 2009 года.
Использование нанокристаллического кремния считается перспективным направлением развития флэш-памяти. В отличие от применяемого сейчас поликристаллического, нанокристаллический кремний в состоянии обеспечить переход к уменьшенным номам техпроцесса без увеличения утечки заряда, являющейся препятствием для сегодняшней технологии.
Грубо говоря, в современной флэш-памяти накопление заряда происходит в слое поликристаллического кремния («плавающий затвор»), что при уменьшении размеров ячейки затрудняет борьбу утечками, к которым приводят дефекты в кристаллической решетке. В нанокристаллическом кремнии заряд накапливается в доменах из нескольких сотен нанокристаллов, каждый из которых имеет диаметр около 50 ангстрем, что позволяет принципиально избавиться от утечек, связанных с наличием «плавающего затвора».
Напомним, 24-Мбитный чип памяти, работающей по описанной схеме, впервые продемонстрировала компания Freescale Semiconductor (дочернее предприятие Motorola), в 2005 году, а 4-Мбитный – компания Motorola, в 2003 году.
Источник: EE Times