Уже немало споров идет вокруг и около разных перспективных технологий, способных быть использованными в производстве полупроводниковых микросхем по грядущим нормам, настойчиво приближающимся к квантовым пределам. Пытаясь примирить традиционную (оптическую) литографию с электронно-лучевой, Vistec Semiconductor Systems (ранее известная как Leica Microsystems – компания была выкуплена Golden Gate Capital и, впоследствии, переименована) сообщила в ходе конференции Semicon Europa в Мюнхене, что объединение двух технологий может быть использовано для массового производства и позволит промышленникам сэкономить как средства, так и время.
Vistec предсказывает, что электронно-лучевая литография, несмотря на свою дороговизну и ряд технических проблем, рано или поздно должна будет найти свой путь в массовое производство. Тем более, что, например, для микроэлектромеханических систем (MEMS) технология подходит как нельзя хорошо.
Электронно-лучевая литография уже сейчас позволяет наносить сфокусированным пучком электронов изображения на полупроводниковых пластинах размером вплоть 32 нм. Однако, для коммерческого производства она пока не годится – обработка подложек происходит слишком медленно.
Что же предлагает Vistec? Объединить преимущества двух методов: критически важные для функционирования будущих ИС узлы обрабатывать с помощью электронно-лучевой технологии, а все остальные – в обычных оптических (193-нм) сканерах. Здесь-то и содержится главная экономия: чем сложнее дизайн чипа, тем больше число и сложнее фотомаски. Используя подход Vistec, на части фотомасок можно сэкономить деньги, а на остальных узлах – время.
Разумеется, электронно-лучевая литография, скорее всего, будет и в дальнейшем использоваться для создания прототипов – впрочем, для этого технология применяется с 1980-х годов.
В ходе Semicon Europa компания Vistec также представила несколько своих новых электронно-лучевых устройств, способных работать как с 200-мм, так и с 300-мм пластинами, переключаясь между режимами в ходе работы. Эти же инструменты можно использовать для создания литографических масок, оттисков для импринт-литографии и выпуска MEMS.