На прошлой неделе стали известны планы производителя полупроводниковой продукции Spansion. В частности, опубликованный график содержит упоминание о флэш-памяти, аналогичной флэш-памяти типа NAND, ячейка которой сможет хранить четыре бита информации (Quad Bit). Перспективную память планируют выпускать в 2008 году с использованием 45-нм техпроцесса.
Другие пункты плана не содержат сюрпризов и отражают намерение исправить затруднительное положение, в котором предприятие, созданное совместно компаниями AMD и Fujitsu для выпуска флэш-памяти типа NOR, оказалось в связи с изменением ситуации на рынке флэш-памяти.
Напомним, в четвертом квартале прошлого года Spansion удалось перехватить первенство на рынке NOR-памяти у Intel. Стремясь развить успех, Spansion планирует наращивать выпуск 90-нм версии 110-нм NOR-памяти, известной под обозначением MirrorBit, и в течение 2006 года перейти со 110- на 90-нм продукцию.
Кроме того, до конца года Spansion надеется перевести на 65-нм процесс флагманскую фабрику Fab 25 в Техасе. Объем производства 110-нм кристаллов, изготавливаемых здесь сегодня, должно будет скомпенсировать наращивание выпуска соответствующей продукции тайваньским партнером - TSMC.
В ближайшие месяц или два в ассортименте Spansion ожидается появление памяти, похожей на память типа NAND, получившей название Ornand. Первый продукт - 1-гигабитный чип MirrorBit Ornand MS - нацелен на рынок сотовых телефонов. По утверждению разработчика, в нем объединены интерфейс NAND (это упростит внедрение новинки) и высокая производительность, характерная для флэш-памяти типа NOR.
Источник: EE Times