Ученым, работающим в исследовательском подразделении IBM, удалось найти способ, который, как предполагается, позволит продлить жизнь существующим технологиям производства полупроводниковых микросхем. Таким образом, рискованный переход к принципиально новым технологиям будет отсрочен еще на какое-то время.
В лабораториях IBM созданы самые миниатюрные структуры, когда-либо созданные при помощи оптической литографии с использованием источника излучения "глубокой" ультрафиолетовой части спектра (deep-ultraviolet, DUV, длина волны - 193 нм), - отчетливые и равномерно распределенные бороздки шириной 29,9 нм (на снимке). Это примерно втрое меньше, чем структуры, получаемые сегодня в серийном 90-нм производстве. И меньше, чем 32 нм - единогласно признанный отраслью предел возможностей литографической технологии.
Иначе говоря, индустрия полупроводникового производства получила дополнительное время на разработку альтернативных технологий, прежде чем окончательно "списать со счетов" оптическую литографию.
Технические подробности исследования будут представлены на конференции SPIE Microlithography 2006, открывшейся сегодня в США.
Интересно, что экспериментальная установка для исследований в области интерференционной иммерсионной литографии, созданная в IBM, получила название NEMO.
Источник: IBM