Разработку новых типов памяти ведут многие компании. Среди перспективных направлений называют Ovonic Unified Memory (OUM), Ferroelectric RAM (FRAM), Nanotube RAM (NRAM) и Magneto-Resistive RAM (MRAM). И если продажу памяти на нанотрубках обещают начать только в следующем году, то образцы магниторезистивной памяти уже представили несколько компаний и она вот-вот появится в составе однокристальных систем.
Компании Toshiba и NEC разрабатывают MRAM совместно. Согласно опубликованным сегодня данным, им удалось создать новое изделие, в котором объединены максимальная плотность и наилучшие скоростные показатели операций чтения и записи, достигнутые для MRAM на данный момент. Говоря языком чисел, плотность новинки - 16 мегабит, скорость чтения и записи - 200 мегабит в секунду (время цикла - 34 нс). Напряжение питания новой памяти - 1,8 В - делает ее особенно подходящей для мобильных устройств с батарейным питанием.
Основная трудность, с которой столкнулись разработчики MRAM, была связана с повышением скорости чтения. Цепь, генерирующая магнитное поле для записи, замедляла операцию чтения из ячейки памяти. Решение было найдено в разделении цепей чтения и записи. Помимо увеличения скорости работы, такой прием позволил снизить эквивалентное сопротивление на 38% за счет "разветвления" тока записи (см. схему).
Для выпуска памяти был использован 130-нм технологический процесс. Напомним, MRAM сохраняет информацию при отключенном питании, поэтому может заменить используемую сейчас флэш-память. Вместе с тем, высокая скорость работы и плотность позволяет ей претендовать на роль универсальной памяти (объединяющей свойства DRAM, SDRAM и флэш-памяти). Объем рынка универсальной памяти, согласно данным аналитической компании iSuppli, к 2019 году составит более 76 млрд. долл.