Корпорация Toshiba сообщает о том, что ей удалось создать бесконденсаторную оперативную память (DRAM) по технологии «кремний-на-изоляторе» (SOI). Созданный компанией 128-Мбит чип успешно прошел испытания.
О том, что в недрах компании ведется разработка бесконденсаторной DRAM, Toshiba сообщала в прошлом феврале, в ходе конференции ISSCC (International Solid State Circuits Conference). Чуть меньше года спустя, в ходе IEDM (International Electron Devices Meeting), Toshiba сообщает уже об успешном создании действующего прототипа, готового к внедрению в производство.
В бесконденсаторной памяти Toshiba используется эффект плавающего напряжения («плавающего тела» или floating body), возникающего под затвором полевого транзистора, выполненного на диэлектрической пленке. К слову сказать, кроме Toshiba, в направлении использования этого эффекта, являющегося паразитным для быстродействующих транзисторов, работают также Innovative Silicon и Renesas.
128-Мбит чип Toshiba произведен по технологии КМОП (CMOS) с соблюдением норм 90-нм техпроцесса и с использованием шести слоев внутренних металлических соединений. Площадь ячейки – 0,17 мкм, что примерно вдвое меньше размеров ячейки 90-нм DRAM. Число «сбойных» бит на 32 Мбит не превышает 32.