Intel и STMicroelectronics сообщили о совместном создании стандартной подсистемы флэш-памяти, которую OEM-производители могут легко, а главное, быстро интегрировать в готовые телефонные аппараты.
Если верить Intel, ссылающейся на данные iSuppli, сейчас 92,8% встраиваемой в телефоны памяти выполняется по архитектуре NOR. Совместная доля Intel и ST на этом рынке достигает 40%.
На базе выработанных совместных спецификаций уже создана микросхема плотностью 512 Мбит, выполненная по технологии многоуровневых ячеек (MLC) с соблюдением норм 90-нм техпроцесса. Этот чип будут поставлять как Intel, так и ST (в портфолио последней также появились MCP флэш+RAM). В дальнейшем, на базе этих же спецификаций будут предложены микросхемы, созданные по 65-нм и 45-нм технологиям.
Как сообщает Digi Times, также со ссылкой на iSuppli, соглашение Intel и ST можно считать знаковым – разговоры о том, чтобы как-то стандартизовать «зверинец» разнообразных решений, доступных на рынке, идут уже давно. Любопытно, но факт: хотя NOR флэш-память доступна на рынке дольше, чем NAND, ее распространение шло не так быстро – опять-таки, из-за отсутствия единых стандартов или таких лидеров рынка, которые бы контролировали более половины поставок.
К слову сказать, всего две недели назад Intel сообщала о создании совместного предприятия с Micron – IM Flash, сигнализировав о намерении начать наступление на рынок NAND флэш-памяти. Очевидно, что намерения компании относительно дальнейшего укрепления своих позиций на рынке NOR флэш-памяти не менее серьезны.
По материалам Intel и The Digi Times.