Компании Renesas и Grandis сообщают о заключении соглашения, в рамках которого будут совместно разрабатывать 65-нм технологические процессы магниторезистивной памяти (MRAM).
Планы Renesas относительно MRAM довольно серьезны, и компания собирается начать поставки систем-на-чипе (SoC, system-on-a-chip), в который интегрирован этот тип энергонезависимой памяти, уже в ближайшем будущем.
Компания Grandis, созданная в 2002 году, известна тем, что разрабатывает STT-RAM (от spin torque transfer – передача спинового вращательного момента). В Grandis уже вложили средства такие компании, как Applied Materials Ventures, Sevin Rosen Funds, Matrix Partners и Incubic. Суть технологии, лежащей в основе STT-RAM, заключается в упорядочении направлений спиновых магнитных моментов электронов, проходящих через туннельный магниторезистивный элемент. Запись производится спин-поляризованным током (образованным электронами, чьи спины «смотрят» в одном направлении).
Grandis утверждает, что STT-RAM потребляет меньше электроэнергии и обладает лучшим потенциалом к масштабированию, чем обычная MRAM. Это означает, что при сравнимых с обычной MRAM скоростях работы STT-RAM может производиться с соблюдением меньших норм, а значит, себестоимость производства может быть снижена.