Стремясь ни в чем не отстать от более удачливых (в плане отсутствия препонов и пошлин) конкурентов, корейский производитель памяти Hynix собирается активизировать перевод производства флэш-памяти на нормы 70-нм технологического процесса.
По данным источника, компания уже сейчас потихоньку готовит к выпуску первые образцы 70-нм NAND флэш-памяти, плотность которых составит до 16 Гбит (это, к слову сказать, заявка на новый рекорд плотности, который Hynix установит вместе с Samsung). В настоящее время Hynix поставляет 90-нм 1-, 2-, 4- и 8-Гбит сипы NAND флэш-памяти, причем созданные по более простой технологии SLC (single-level cell), чем разработки, позволяющие записывать несколько бит в одну ячейку.
Если верить источнику, ссылающемуся на роадмэп Hynix, 16-Гбит 70-нм микросхемы увидят свет уже в ноябре, а в массовое производство они будут запущены уже в будущем году.
Таким образом, налицо самые серьезные планы Hynix – если им суждено сбыться, компания станет одним из технологических лидеров. В прошлом месяце Samsung уже сообщала о разработке первого чипа NAND флэш-памяти, плотностью 16 Гбит и с соблюдением норм 50-нм технологического процесса. Однако, у Hynix есть все шансы опередить своего конкурента в выводе решения на рынок.
Надо сказать, что, являясь сравнительно новым игроком на рынке флэш-памяти, Hynix развивается весьма динамично. Во втором квартале этого года объемы продаж NAND флэш-памяти компании выросли на 57%, позволив ей выйти на второе место после Samsung и Toshiba. И Hynix не собирается останавливаться – в настоящее время ведется строительство еще одного завода, а производственные линии по выпуску DRAM переводятся на производство флэш-памяти.
Стоит также отметить, что кредиторы южнокорейской компании удовлетворены прогрессом, которого она добилась, и готовы вернуть 24% акций в обращение. В настоящий момент Hynix принадлежит кредиторам на 81%.