Как сообщает источник, результатом научно-исследовательского проекта, длившегося три года, стало создание импринт-литографического инструмента, который можно использовать для обработки полупроводниковых пластин с соблюдением норм 50-нм технологического процесса. В рамках этого же проекта планируется к 2006 году создать степпер, способный работать с 300-мм пластинами.
Самым удивительным является то, что вопреки расхожему мнению о дороговизне литографических инструментов, подтверждаемому, правда, современными оптическими литографическими устройствами, стоящими около 20 млн. долларов, импринт-литографический инструмент, созданный по проекту Souvenir, стоит менее 200 тысяч евро (около 245 тысяч долларов) в базовой версии.
В сообщении о Souvenir утверждается, что компании, участвовавшие в разработке, не исследовали этот вопрос, но источник отмечает схожесть процесса Souvenir с технологией корпорации Molecular Imprints, уже создавшей несколько разных степ- и флэш-импринт литографических продуктов. Souvenir предназначается для создания наноскопических устройств в университетах и исследовательских институтах – по словам Маркуса Бендера (Markus Bender) из Applied Micro- and Optoelectronics GmbH (Мюнхен, Германия), размеры создаваемых устройством изображений могут быть порядка 10 нм. В дальнейшем, производительность инструмента планируется увеличить до показателей, достаточных для использования их в изготовлении пробных партий полупроводниковых микросхем.
В процессе Souvenir на подложку сначала методом «печати» (отсюда и название метода — импринт) с помощью формы из мягкого полимер наносится невязкий, чувствительный к ультрафиолетовому излучению материал (специальный фоторезист). Затем фоторезист подвергается воздействию ультрафиолета, вызывающего его отвердение.
В настоящее время обработка полупроводниковой пластины происходит слишком медленно и речь о коммерческом использовании, конечно же, еще не идет. Однако, значительный прогресс в области импринт-литографии, продемонстрированный разработчиками Souvenir, означает, что этот метод литографии в будущем может составить конкуренцию EUV-литографии, шансы которой на внедрение после 2007 года для создания чипов по нормам менее 45 нм сейчас очень велики.