Hynix Semiconductor, NanoAmp Solutions и Winbond Electronics присоединились к рабочей группе CellularRAM (состоящей на данный момент из четырех компаний-участниц), — организации, которая ведет разработки общих спецификаций для высокопроизводительной псевдо SRAM памяти (PSRAM), которую в скором будущем будут использовать 2,5 и 3G устройства. Также в составе уже можно наблюдать Cypress Semiconductor, Infineon Technologies, Micron Technology и другие компании, производящие микросхемы памяти.
Группа CellularRAM разработала три основные спецификации для устройств с высокой пропускной способностью и с плотностью 16-256 Мбит. Спецификация четвертого поколения ставит своей целью улучшение применимости разработок на архитектуре CellularRAM для полосы частот исходных сигналов.
CellularRAM память основывается на DRAM технологии, поддерживает асинхронный/страничный режим доступа наряду с инновационным "burst" интерфейсом (который полностью совместим с Flash). Относительно предыдущего применяемого стандарта, новый интерфейс должен обеспечить 30% выигрыш в производительности. Отношения цена/бит у устройств, произведенных по спецификациям CellularRAM, должно быть существенно лучше, чем у SRAM продуктов.
Источник: EE times