Поскольку сравнительно недавно Spansion (совместное предприятие AMD и Fujitsu) и TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) подписали соглашение о совместном выпуске NOR флэш-памяти, промышленные источники сообщают, что TSMC собирается увеличить производство флэш-памяти до 20 тысяч 200-мм полупроводниковых пластин и в дальнейшем перевести выпуск флэш-памяти на 300-мм производственные линии.
Увеличение выпуска NOR флэш-памяти происходит на фоне непрекращающейся войны со стандартом NAND, стремительно вытесняющего NOR с рынка в силу лучшего соотношения цена/плотность.
Кроме того, в рамках текущего соглашения TSMC должна будет освоить выпуск флэш-памяти по технологии MirrorBit с соблюдением норм 0,11-мкм техпроцесса – начало массового производства намечено на второй квартал 2006 года. Выпуск чипов для Spansion ее тайваньский производственный партнер начнет на заводе Fab 6 в Тайнане в конце этого года.
Стоит отметить, что количество полупроводниковых пластин, которые будет обрабатывать TSMC для Spansion, является оценочным – более-менее окончательных данных от компаний еще не поступало. Второй крупный тайваньский контрактный производитель, UMC (United Microelectronics Corporation), который не смог заполучить контракт Spansion, по-прежнему предпринимает попытки наладить контакт с компанией.
Кроме NOR флэш-памяти, выполненных по технологии MirrorBit, Spansion в первом квартале 2006 года собирается выпустить на рынок 1-Гбит микросхему ORNAND, предназначенную для мобильных устройств: сотовых телефонов и КПК. Архитектура ORNAND позволяет записывать на два больше бита в одну ячейку, чем технология MirrorBit.
По материалам iXBT и Digi Times.