Как сообщает источник, совместными усилиями Renesas и Hitachi удалось создать две новые технологии программирования AG-AND (Assist Gate-AND) флэш-памяти с многоуровневыми ячейками, позволяющие достичь высокой скорости записи и чтения.
Главным достижением новых технологий является то, что время программирования (изюминка AG-AND – использование «горячих» электронов для записи логической «1») новых чипов снижено с 2 мкс до 100 нс, то есть, в 20 раз. Скорость записи в предыдущем поколении AG-AND достигает 10 Мбит/с, первые результаты тестирования говорят о её приросте на 20%, но, скорее всего, потенциал AG-AND на этом еще не исчерпан и можно ожидать сообщений о дальнешем увеличении этого показателя.
Как ожидается, новые технологии будут использованы в 4-Гбит микросхемах AG-AND флэш-памяти, которые производятся с соблюдением норм 90-нм техпроцесса.