Samsung начинает производство динамической памяти DDR2 1 Гбит по нормам 90 нм

Samsung Electronics, мировой лидер в производстве компьютерной памяти, объявил о начале массового производства монолитных 1-гигабитных чипов DRAM с использованием 90-нм технологического процесса.

Корейский производитель ожидает, что эта продукция станет основой рыночного ассортимента чипов памяти в ближайшие два года. Новая память отличается пониженным энергопотреблением, меньше нагревается, обеспечивает более качественные электрические сигналы и по характеристикам превосходит все остальные чипы DRAM, выпускаемые сегодня.

В прошлом месяце память Samsung DDR2 400/533 1 Гбит, изготовленная по нормам 90 нм, успешно прошла тесты Intel, которым подвергаются все электронные компоненты, используемые в изделиях корпорации.

Доля чипов DRAM плотностью 1 Гбит в предложении Samsung быстро растет. Ежемесячный объем выпуска чипов DDR1 и DDR2 к четвертому кварталу текущего года планируется довести до 1 миллиона штук. Эти планы подтверждают оценку аналитической фирмы Dataquest, согласно которой, рынок 1 Гбит DRAM ожидает стремительный рост: с 1,3 млрд. долл. в 2005 году до 17 млрд. долл. в 2008.

Источник: Samsung

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс