Как сообщает источник со ссылкой на представителей Infineon, немецкий производитель памяти начал предоставлять пробные образцы DDR3 (Double Data Rate 3) —памяти Intel для тестирования и сертификации.
Подробные технические спецификации новинок остаются пока тайной за семью печатями, не известна даже емкость модулей DDR3-памяти. Известно, впрочем, что представленные на рассмотрение Intel модули не удовлетворяют всем требованиям JEDEC.
Так или иначе, но в Infineon уверены, что с DDR3-памятью в будущем все будет хорошо – представитель компании подтвердил планы начать поставки пробных экземпляров желающим клиентам в начале, а массовое производство DDR3 намечено на вторую половину будущего года. Сообщается, что на первых порах разработанная совместно с Nanya DDR3-память Infineon будет производиться с соблюдением норм 90-нм технологического процесса с дальнейшим переходом на 70-нм нормы.
Таким образом, Infineon стал вторым после Samsung производителем, заявившем о готовности начать массовый выпуск DDR3-памяти. В феврале корейская фирма выпустила 512-Мб прототип, сообщив о намерении начать массовое производство в 2006 году.
Учитывая, что индустрия еще далека от завершения миграции на DDR-II, Infineon позиционирует DDR3-память в сегмент высокопроизводительных серверов и рабочих станций. Первые DDR3-модули будут работать на тактовой частоте 1067 МГц, затем величину тактовой частоты планируется поднять до 1600 МГц. Напряжение питания DDR3 будет снижено с 1,8 до 1,5 В.