Honeywell опубликовала спецификации 1-Мбит MRAM

Honeywell International опубликовала спецификации своего первого 1-Мбит чипа MRAM (магниторезистивной оперативной памяти), устойчивого к воздействию внешних электромагнитных излучений. Утверждается, что этот чип готов к запуску в массовое производство.

MRAM, также как и FRAM (или FeRAM – ферроэлектрическая память), является одной из наиболее успешных разработок новых типов быстрой энергонезависимой памяти. Кроме Honeywell, позиционирующей свои чипы для использования в космических приборах, об успешной разработке MRAM уже сообщали Freescale, Renesas и Cypress.

1-Мбит чип MRAM, обладающей архитектурой 16х64 Кб, выпускается с соблюдением норм 0,15-мкм технологического процесса по технологии SOI (silicon-on-insulator). Поддерживается напряжение питания 3,3 В и 1,8 В.

Автор:

| Источник: Parasound

Все новости за сегодня

Календарь

июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс